توسعه فناوری فتونیک سیلیکونی به کمک فعالان حوزه نانوالکترونیک اروپا

به گزارش شبکه خبری ICTPRESS، سازمان تحقیقاتی CEA-Leti در فرانسه در قالب پروژه PLAT4M اروپا موفق به توسعه پلت فرم فوتونیک سیلیکونی جدیدی شده‌ است.
این پروژه چهار ساله که از سال 2013 راه‌اندازی شده با هدف ایجاد زنجیره در فتونیک سیلیکون، قصد دارد صنعتی شدن این فناوری را تسریع کند.
بودجه 10.2 میلیون یورویی این پروژه توسط کمیسیون اروپا تأمین و توسط 15 مؤسسه و شرکت مختلف تأمین میشود. این زنجیره براساس پلت فرم‌های فناوری Leti، IMEC و STMicroelectronics تعریف شده‌ است.
مؤسسه بلژیکی Imec با استفاده از این پروژه موفق شده‌ است پلت فرم فتونیک سیلیکونی خود را توسعه داده و به بلوغ برساند. این پلت فرم براساس زیرلایه SOI با سیلیکون 220 نانومتری طراحی شده‌ است. در طول این پروژه، فرآیندهای تولید رایج به‌گونه‌ای بهبود می‌یابند که عملکرد تمام بخش‌های واحدهای سازنده فتونیک (جفت کننده‌ها، راهنماهای موج، انتقال‌دهنده‌های فاز و شناساگرهای نوری) ارتقاء یابد. در این پروژه شرکت‌هایی نظیر تالز، پلی‌تک و تی‌ان‌او همکاری دارند.
مؤسسه Imec علاوه براستفاده از این پروژه برای توسعه فتونیک سیلیکونی از اسکنرهای لیتوگرافی غوطه‌وری 193 نانومتری نیز برای این کار استفاده میکند. با استفاده از پلت فرم Imec، شرکت تالز موفق به ترکیب پرتوهای مختلف لیزر با یکدیگر شده‌ است. با این فناوری میتوان منابع لیزر با انرژی و توان بالا تولید کرد و از آن در صنایع مختلف نظیر فیزیک بنیادی یا حسگری استفاده کرد. چنین دستاوردی میتواند مرزهای نشرکننده لیزر را تغییر داده و با استفاده از تقویت‌کننده‌های مختلف، کارایی و خروجی این لیزرها را افزایش داد.
مرکز Leti، پیش از این به تنهایی موفق به توسعه پلت‌فرم فتونیک جدیدی مبتنی بر ویفر SOI 200 میلیمتری شده بود. با روشی که این مرکز ارائه داده میتوان الگودهی‌های مختلفی روی سطح ایجاد کرد و در نتیجه قطعات مختلفی نظیر فتودیود با قابلیت تنظیم گرمایی روی سطح ایجاد کرد. این فناوری جدید به محققان این مرکز امکان ایجاد ساختارهای کوچکتری را روی سطح میدهد.